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中科院辟谣:5nm光刻技术被误读,国产水平在180nm

  日期:2020-12-17  浏览次数:23

今年 7月份,中科院发表的一则《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》的研究论文引起了广泛的关注。当时,华为正被美国打压,中国芯片产业成为了国人的心头忧虑。


因此,中科院此新闻一出,遭部分媒体夸张、误解之后,立刻引起了一片沸腾。有媒体将其解读为“中国不用EUV光刻机,便能制造出5nm芯片”,但事实并非如此。


近日,该论文的通讯作者刘前在接受《财经》记者采访时,作出了解答。


刘前表示,论文介绍的新型5nm超高精度激光光刻加工方法,主要用在光掩膜制作上,并非是极紫外光光刻技术,部分媒体混淆了两者的概念。


在光刻过程中,光源通过激光将电路设计图写在光掩膜版上,然后照射在硅片的表面,之后便会进行刻蚀工艺。

可见,光掩膜是集成电路光刻机制造中,不可或缺的重要部分,其对集成电路线宽也起到了一定限制作用。人们常提到的12nm、5nm等,便是集成电路线宽。


长时间来,中国只能制造中低端光掩膜,并且还要依赖海外技术、材料等。


而高端光掩膜版更是成为我国“卡脖子”技术之一。全球高端光掩膜市场主要被美国Photronics、日本印刷株式会社、日本Toppan三者所垄断,余下的市场份额很少。


因此,中科院所攻克的这项新技术,虽然没有部分媒体表述的那样夸张,但对我国高端光掩膜市场的突破,依然具有重要意义。该技术具有完全自主知识产权,并且有成本更低的优点。但是,该技术仍处在实验室阶段,想要实现商用并非是一件容易事。


而且,我国光刻机技术也有十分漫长的路要走。据AI财经社消息,有半导体产业资深人士表示:目前我国可以实现180nm制程,但仍在试用阶段,还需要攻克。


为何中国光刻机技术发展如此缓慢,有半导体业界人士表示:是产业环境的问题。此前,国产设备不被看好,客户不愿意配合使用与测试。这阻碍了我国光刻机产业的发展。


但是,华为被美国制裁事件发生后,许多相关厂商改变了看法,意识到将关键技术、设备等掌握在自己手中的重要性,中国集成电路产业的发展速度有明显加快。


不过,在中国落后颇多的情况下,想要实现突破并非是一件易事。但即便如此,国产芯片仍要抱有信心,不断追赶。


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